VIPERGAN50 vs VIPERGAN65 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von VIPERGAN50 von STMicroelectronics und VIPERGAN65 von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

STMicroelectronics
VIPERGAN50 VIPERGAN50 - 50W GaN Power Stage | STMicroelectronics

VIPERGAN50 - 50W GaN Power Stage | STMicroelectronics

VIPERGAN50 ✓ Aktiv
STMicroelectronics
VIPERGAN65 VIPERGAN65 - 650V GaN Power Transistor | STMicroelectronics

VIPERGAN65 - 650V GaN Power Transistor | STMicroelectronics

VIPERGAN65 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter VIPERGAN50 VIPERGAN65
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Power MOSFET Drivers Transistors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,24 $2,10
Technology GaN (Gallium Nitride) GaN HEMT
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 650 V
On-Resistance (RDS(on)) 150 mΩ [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C]
Maximum Output Power 50 W —
Schaltfrequenz Up to 1 MHz —
Gate Driver Integrated —
Gehäuse QFN 5x6 mm PQFN 8x8 mm
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40°C to +150°C —
Überstromschutz Yes —
Overtemperature Protection Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
RoHS Compliant —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 3 —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) — [DATA_NEEDED: ID at 25C]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS range]
Maximum Switching Frequency — [DATA_NEEDED: fsw max]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Thermal Resistance (Junction-to-Case) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Betriebstemperaturbereich — -40C to +150C
RoHS-Status — Compliant
Integrated Gate Driver — Yes
Protection Features — Overcurrent, Overtemperature, UVLO

Datenblätter & Ressourcen

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