BSC016N06NSTATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC016N06NSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC014N04LSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC016N06NSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-Channel Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C -55°C to +150°C
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Series OptiMOS —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V — 1.45 mΩ
R DS(on) typical @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 115 W
পিন সংখ্যা — 8

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট