BSC016N06NSTATMA1 vs BSC014N04LSTATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC016N06NSTATMA1 disebabkan oleh Infineon dan BSC014N04LSTATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC016N06NSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-Channel Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Kemasan PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55 C to +150 C -55°C to +150°C
Aras MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Series OptiMOS —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V — 1.45 mΩ
R DS(on) typical @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 115 W
Kiraan Pin — 8

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga