BSC018NE2LSATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC018NE2LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC011N04NM7VATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC018NE2LSATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 29 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.8 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 39 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2800 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +150°C (TJ) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-1 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 25V (Trench) | Trench MOSFET, silicon |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |