BSC0501NSIATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0501NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ0501NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ0501NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ0501NSIATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V OptiMOS 5 (25V/30V)
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg]
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +150C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 —
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: Tj max]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট