BSC0501NSIATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC0501NSIATMA1 द्वारा Infineon और BSZ0501NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET 100A | Infineon

BSC0501NSIATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSZ0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ0501NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ0501NSIATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC0501NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V/30V OptiMOS 5 (25V/30V)
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +150C —
पैकेज PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 —
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: Tj max]

डेटाशीट और संसाधन

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