BSC050N04LSGATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC050N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC026N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC050N04LSGATMA1 BSC026N04LSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) Trench-gate OptiMOS™ 5
প্যাকেজ PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C -55°C to +150°C
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: max RDS(on)]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 63 W
Channel Type — N-Channel

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট