BSC050N04LSGATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC050N04LSGATMA1 توسط Infineon و BSC026N04LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 2.6mΩ MOSFET | Infineon

BSC026N04LSATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC050N04LSGATMA1 BSC026N04LSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) Trench-gate OptiMOS™ 5
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55°C to +150°C
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: max RDS(on)]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 63 W
Channel Type — N-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت