BSC054N04NSGATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC054N04NSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC035N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 - 40V 81A OptiMOS 3 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC054N04NSGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

BSC035N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC054N04NSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC054N04NSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 81 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 17 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation at Tc=25C 57 W —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Lead-Free Reflow Yes —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট