BSC059N04LSGATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC059N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC052N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC059N04LSGATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট