BSC0906NSATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0906NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC094N06LS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 - 30V 63A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0906NSATMA1 - 30V 63A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0906NSATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 - 60V 9.4mΩ 47A N-Channel OptiMOS 5 | Infineon

BSC094N06LS5ATMA1 - 60V 9.4mΩ 47A N-Channel OptiMOS 5 | Infineon

BSC094N06LS5ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC0906NSATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 63 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS OptiMOS™ 5 (logic-level)
RDS(on) max (typical reference) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] [DATA_NEEDED: Qg typ]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction, typical) —
পিন সংখ্যা 8 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 °C to +150 °C
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL level]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট