BSC120N03LSGATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC120N03LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC110N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC120N03LSGATMA1 - 30V 39A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
BSC120N03LSGATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC120N03LSGATMA1 | ISC110N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 39 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | 12 mOhm (typical) | — |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 28 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (TJ) | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) | SuperSO8 (TDSON-8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.1 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15.4 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.1 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 330 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 94 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 3 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 185 mJ |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |