BSP315PH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP315PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSP316PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP316PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSP315PH6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| প্যাকেজ | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| পিনের সংখ্যা | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |