BSP315PH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSP315PH6327XTSA1 bằng Infineon và BSP316PH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223
BSP316PH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSP315PH6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (junction) | -55 C to +150 C (junction) |
| Hộp | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Số lượng chân | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |