BSR315PH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSR315PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSP295H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSR315PH6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR315PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS P-Channel —
FET Type P-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (TJ) -55 °C to +150 °C
প্যাকেজ PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Technology — Planar N-channel MOSFET
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট