BSS214NH6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS214NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS806NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon

BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon

BSS806NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS214NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V 57 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] 1.8 V rated (logic level)
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) OptiMOS 2 (trench MOSFET)
প্যাকেজ SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (Pb-free plating)
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 2.3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Drive (recommended VGS) — 1.8 V to 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD, Ta) — 500 mW
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট