BSS306NH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS306NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRLML6346TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS306NH6327XTSA1 IRLML6346TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 3.4 A (TA=25C)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
প্যাকেজ SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin Micro3 / SOT-23
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Polarity — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C
MSL লেভেল — 1
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট