BSS306NH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS306NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور IRLML6346TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 - 30V 2.3A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS306NH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS306NH6327XTSA1 IRLML6346TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 3.4 A (TA=25C)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
پیکیج SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin Micro3 / SOT-23
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Polarity — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
MSL لیول — 1
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں