BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ018NE2LSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ036NE2LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSZ018NE2LSIATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ018NE2LSIATMA1 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 69 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| MSL লেভেল | — | 1 (Unlimited) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |