BSZ018NE2LSIATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ018NE2LSIATMA1 توسط Infineon و BSZ036NE2LSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSZ018NE2LSIATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ018NE2LSIATMA1 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 1.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 69 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| سطح MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |