BSZ036NE2LSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ036NE2LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC034N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSZ036NE2LSATMA1 BSC034N06NSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A 100 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C -55C to +150C
MSL লেভেল 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
Technology — OptiMOS 5

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট