BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ150N10LS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ110N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ150N10LS3GATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 3 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 15 mΩ 11 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) 2.1 W —
পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) 63 W —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature Range (TJ) -55 °C to +150 °C —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free / Reflow Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Part Family — OptiMOS 5
Technology — OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট