BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ150N10LS3GATMA1 توسط Infineon و BSZ110N08NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ150N10LS3GATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 3 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15 mΩ | 11 mΩ |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | 2.1 W | — |
| اتلاف توان (TC=25°C) | 63 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Reflow | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Technology | — | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |