E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16JY-075E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা E3AD8G16A4-HR নির্দিষ্ট ELIXIR/NANYA ও MT40A512M16JY-075E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার E3AD8G16A4-HR MT40A512M16JY-075E
ব্র্যান্ড ELIXIR/NANYA Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
সংগঠন 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
প্যাকেজ TFBGA-96 96-FBGA (8x14)
ডেটা রেট 3200 MT/s 2666 MT/s
CAS লেটেন্সি 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C (TCASE) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
মেমরি সাইজ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
ইন্টারফেস — Parallel
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
বৈশিষ্ট্য — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট