E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16JY-075E Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci E3AD8G16A4-HR disebabkan oleh ELIXIR/NANYA dan MT40A512M16JY-075E disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Aktif
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr E3AD8G16A4-HR MT40A512M16JY-075E
Merek ELIXIR/NANYA Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V —
Kemasan TFBGA-96 96-FBGA (8x14)
Kadar Data 3200 MT/s 2666 MT/s
Latensi CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Suhu Operasi 0C to +95C (TCASE) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
Saiz Ingatan — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Antaramuka — Parallel
Gambaran Suhu Operasi — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Status RoHS — Compliant
Ciri-ciri — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga