IAUCN04S7N019DATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S7N019DATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S7L050HATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUCN04S7N019DATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 7 40V | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Configuration | Dual N-Channel (array) | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 160 A (Tj) | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-60 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| Input Capacitance (Ciss, typ.) | 1.465 nF | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family) | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| ESD Protection | Yes (gate integrated) | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020, family default) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |