IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUZ40N10S5N130ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUC100N04S6N028ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IAUC100N04S6N028ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction trench) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 13 mΩ | — |
| RDS(on) typical | 10 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Lead-Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Series | — | OptiMOS 6 40V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 400 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 2.8 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 1.5 V to 2.5 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 62 W |
| Automotive Qualified | — | Yes |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |