IAUZ40N10S5N130ATMA1 vs IAUZ30N08S5N186ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUZ40N10S5N130ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUZ30N08S5N186ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | IAUZ30N08S5N186ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUZ40N10S5N130ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction trench) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 13 mΩ | — |
| RDS(on) typical | 10 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +175 °C (automotive) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free / RoHS | ROHS3 Compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 41 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] |