IPB100N12S305ATMA2 vs BSC050N04LSGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB100N12S305ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC050N04LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB100N12S305ATMA2 IPB100N12S305ATMA2 - 120V 100A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS 5

IPB100N12S305ATMA2 - 120V 100A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS 5

IPB100N12S305ATMA2 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB100N12S305ATMA2 BSC050N04LSGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 120V —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Avalanche Energy (EAS) 1445 mJ —
প্যাকেজ / কেস PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +150C
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Technology — OptiMOS 3 (trench MOSFET)
প্যাকেজ — PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট