IPB100N12S305ATMA2 vs BSC050N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB100N12S305ATMA2 द्वारा Infineon और BSC050N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB100N12S305ATMA2 - 120V 100A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS 5
IPB100N12S305ATMA2 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB100N12S305ATMA2 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 120V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) | 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 1445 mJ | — |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +150C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Technology | — | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |