IPB100N12S305ATMA2 vs BSC050N04LSGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB100N12S305ATMA2 מאת Infineon ו BSC050N04LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB100N12S305ATMA2 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 120V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) | 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 1445 mJ | — |
| מארז / Case | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +150C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Technology | — | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| מארז | — | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |