IPB107N20N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB107N20N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB072N15N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB107N20N3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB107N20N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55 C to +175 C
প্যাকেজ PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 (trench MOSFET)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট