IPB107N20N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB107N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB072N15N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB107N20N3GATMA1 | IPB072N15N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55 C to +175 C |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 300 W |
| R_DS(on) typical at VGS=10V | — | 7.2 mOhm |
| R_DS(on) max at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse E_AS) |
| Intrinsic Body Diode | — | Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) |
| Manufacturer Ordering Code Suffix | — | GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) |