IPB120P04P404ATMA2 vs IPB120P04P404ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB120P04P404ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB120P04P404ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPB120P04P404ATMA2 - 40V P-Channel 120A OptiMOS MOSFET | Infineon
IPB120P04P404ATMA2 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB120P04P404ATMA2 | IPB120P04P404ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPB120P04P404ATMA2 | — |
| Series | OptiMOS-P2 | — |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide), Enhancement Mode, OptiMOS-P2 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 120 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V, ID=-100A | 3.8 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=-10V | 205 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) @ VDS=25V | 14,790 pF | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 136 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| প্যাকেজ | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK), 3-pin (2 + tab), surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount (D2PAK, exposed tab) |
| পিন সংখ্যা | 3 (Tab + 2 Leads) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3.5 mΩ at VGS = -10 V, ID = -100 A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -4 V at ID = -340 µA (max) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 205 nC at VGS = -10 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 14.79 nF at 25 V |
| Continuous Power Dissipation (PD) at Tc | — | 136 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 78 mJ |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| MSL লেভেল | — | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| AEC-Q100/101 Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100 % avalanche tested |
| RoHS / Green | — | Green package, RoHS compliant |