IPB60R165CPATMA1 vs IPD60R380C6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB60R165CPATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD60R380C6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CPATMA1 - 600V 165mΩ CoolMOS CP N-Channel MOSFET | Infineon

IPB60R165CPATMA1 - 600V 165mΩ CoolMOS CP N-Channel MOSFET | Infineon

IPB60R165CPATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB60R165CPATMA1 IPD60R380C6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Technology CoolMOS CP (superjunction, N-Channel) CoolMOS C6 Superjunction
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 21 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 192 W —
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) 165 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Operating Temperature Range (TJ) -55°C to +150°C —
প্যাকেজ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) PG-TO252-3 (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free lead plating) Compliant
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC for target applications —
dv/dt Ruggedness Extreme dv/dt rated —
Polarity / Channel N-Channel —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 10.6 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 380 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 83 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55C to +150C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
FET Type — N-Channel
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Tab Connection — Exposed pad (electrically connected to drain)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট