IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD90N06S407ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD30N10S3L34ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD90N06S407ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD90N06S407ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Qualified |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D at T_C) | — | 90 A |
| R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A | — | 6.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 4 V at 40 uA |
| Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V | — | 56 nC |
| Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) | — | 79 W |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| প্যাকেজ | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Product) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |