IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD90N06S407ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD30N10S3L34ATMA2 tarafından Infineon ve IPD90N06S407ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD90N06S407ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Qualified |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D at T_C) | — | 90 A |
| R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A | — | 6.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 4 V at 40 uA |
| Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V | — | 56 nC |
| Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) | — | 79 W |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| Paket | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Product) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |