IPD30N10S3L34ATMA2 vs IPD90N06S407ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD30N10S3L34ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD90N06S407ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD30N10S3L34ATMA2 | IPD90N06S407ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 180 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 57 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 31 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) max | 2.4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) max | 31 nC | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Package / Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 (DPAK) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin / Tab Count | 3 (2 + Tab) | — |
| Technology | OptiMOS-T (trench) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Qualified |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D at T_C) | — | 90 A |
| R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A | — | 6.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 4 V at 40 uA |
| Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V | — | 56 nC |
| Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) | — | 79 W |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| پیکیج | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Product) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |