IPD70N10S312ATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD70N10S312ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ096N10LS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD70N10S312ATMA1 | BSZ096N10LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA1 | — |
| Product Family | OptiMOS-T Power-Transistor | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 4355 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 65 nC @ 10 V | — |
| Operating Temperature (TJ) | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | 20 V (typical) |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | — | 40 A |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | — | 62 A |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | — | 160 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 9.6 mΩ at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic-level (low single-volt range) |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 40 A (TC=25 °C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) | — | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| ESD Protection | — | Yes (gate-integrated) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Packaging Code | — | ATMA1 (tape and reel) |