IPD70N10S312ATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD70N10S312ATMA1 bằng Infineon và BSZ096N10LS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD70N10S312ATMA1 | BSZ096N10LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA1 | — |
| Product Family | OptiMOS-T Power-Transistor | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 4355 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 65 nC @ 10 V | — |
| Operating Temperature (TJ) | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Tested | 100 % (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | 20 V (typical) |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | — | 40 A |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | — | 62 A |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | — | 160 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 9.6 mΩ at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic-level (low single-volt range) |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 40 A (TC=25 °C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) | — | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| ESD Protection | — | Yes (gate-integrated) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Packaging Code | — | ATMA1 (tape and reel) |