IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE036N08NM6CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE008N03LM5SCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE008N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ / কেস | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | Single N-Channel |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | -55 °C to +150 °C |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 252 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.85 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typical) |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (recommended) |
| প্যাকেজ | — | PG-WHSON-8 (Source-Down) |
| Cooling Architecture | — | Source-Down, dual-side cooling |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |