IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD009N06NM5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE050N08NM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQD009N06NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQD009N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | 42 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | 445 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 333 W |
| প্যাকেজ | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | OptiMOS 5 (trench) |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C to +175°C (TJ max) | -55 °C to +175 °C |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RDS(on) Maximum | — | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |