IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD009N06NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE050N08NM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD009N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQD009N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | 42 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | 445 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 333 W |
| پیکیج | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | OptiMOS 5 (trench) |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55°C to +175°C (TJ max) | -55 °C to +175 °C |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RDS(on) Maximum | — | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |