IQE220N15NM5ATMA1 vs IQD005N04NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE220N15NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQD005N04NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 - 40V 0.5mΩ N-Ch MOSFET PG-TSON-8-9 | Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE220N15NM5ATMA1 | IQD005N04NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 6 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V (typ at 46 µA) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14.4 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 340 pF | — |
| আউটপুট কনফিগারেশন | Single N-Channel | — |
| প্যাকেজ | PG-TSON-8-5 (Source-Down) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | 1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 58 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 610 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 0.5 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |