IQE220N15NM5ATMA1 vs IQD005N04NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE220N15NM5ATMA1 bằng Infineon và IQD005N04NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 - 40V 0.5mΩ N-Ch MOSFET PG-TSON-8-9 | Infineon
IQD005N04NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE220N15NM5ATMA1 | IQD005N04NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 6 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V (typ at 46 µA) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14.4 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 340 pF | — |
| Cấu hình đầu ra | Single N-Channel | — |
| Hộp | PG-TSON-8-5 (Source-Down) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | 1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 58 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 610 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 0.5 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |