IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE220N15NM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE220N15NM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQE220N15NM5CGATMA1 IQE220N15NM5CGATMA1 - 150V 44A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGATMA1 - 150V 44A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQE220N15NM5CGATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-State Resistance RDS(on) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
প্যাকেজ PG-TTFN-9-3 (Source-Down) PG-WHTFN-9 (Source-Down)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C (estimated from Tj max) -55C to +150C (junction)
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 5 OptiMOS 5, Source-Down
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
পিন সংখ্যা 9 (TTFN) —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) — 7 A
Continuous Drain Current at Tc (ID) — 44 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 100 W
On-Resistance (RDS(on)) — 22 milliohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট