IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE008N03LM5SCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE008N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHSON-8 (Source-Down) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 252 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.85 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typical) |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (recommended) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Cooling Architecture | — | Source-Down, dual-side cooling |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +150 °C |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |