IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE008N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE008N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| پیکیج | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHSON-8 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 252 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.85 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typical) |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (recommended) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Cooling Architecture | — | Source-Down, dual-side cooling |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +150 °C |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |