IRF4905STRRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF4905STRRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও BSC060P03NS3EGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF4905STRRPBF | BSC060P03NS3EGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +175 C | — |
| প্যাকেজ | D2PAK (TO-263-3) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | OptiMOS™ P-channel Trench |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 17.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | -2.5 V |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | — | 81 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.02 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 2.81 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 220 pF |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55°C to +150°C |