IRF540ZPBF vs IRFB4110PBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF540ZPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFB4110PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF540ZPBF IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF540ZPBF IRFB4110PBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF540ZPBF —
Technology HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C 36 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 26.5 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 42 nC —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C 92 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C —
প্যাকেজ TO-220AB (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
পিন সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix denotes Pb-free)
Automotive Qualified Yes (per datasheet description) —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 °C to +175 °C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট